Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TP65H150G4LSG-TR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Transphorm
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TP65H150G4LSG-TR-DG
Περιγραφή:
650 V 13 A GAN FET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Αποθέμα:
2884 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12975024
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TP65H150G4LSG-TR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Transphorm
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.8V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
598 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
3-PQFN (8x8)
Συσκευασία / Θήκη
3-PowerTDFN
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1707-TP65H150G4LSG-TRCT
1707-TP65H150G4LSG-TR
1707-TP65H150G4LSG-TRDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TP65H150G4LSG
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Transphorm
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2939
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TP65H150G4LSG-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMN30UNH
PMN30UN/SOT457/SC-74
NVB095N65S3F
SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
PH1430DLSX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
