Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TP65H150G4LSG
Product Overview
Κατασκευαστής:
Transphorm
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TP65H150G4LSG-DG
Περιγραφή:
GAN FET N-CH 650V PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Αποθέμα:
2939 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13275976
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TP65H150G4LSG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Transphorm
Συσκευασία
Tray
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.8V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
598 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
3-PQFN (8x8)
Συσκευασία / Θήκη
3-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
TP65H150
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1707-TP65H150G4LSG
1707-TP65H150G4LSGDKR
1707-TP65H150G4LSGCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TP65H150G4LSG-TR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Transphorm
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2884
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TP65H150G4LSG-TR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TPH3206LSGB
GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
IPA029N06NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 60V 87A TO220
IPB60R070CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
