NVB095N65S3F
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVB095N65S3F

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVB095N65S3F-DG

Περιγραφή:

SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 36A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

12975036
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVB095N65S3F Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
36A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 18A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 860µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3020 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
272W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
488-NVB095N65S3FCT
488-NVB095N65S3FTR
488-NVB095N65S3FDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

PH1430DLSX

MOSFET N-CH 30V LFPAK

goford-semiconductor

G3035

MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT-23

goford-semiconductor

45P40

P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T

vishay-siliconix

SI4153DY-T1-GE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8