PMN30UNH
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMN30UNH

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMN30UNH-DG

Περιγραφή:

PMN30UN/SOT457/SC-74
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 4.5A (Ta) 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Αποθέμα:

5956 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12975027
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMN30UNH Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
900mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
635 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Συσκευασία / Θήκη
SC-74, SOT-457

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-PMN30UNHDKR
934069334125
1727-PMN30UNHTR
1727-PMN30UNHCT
5202-PMN30UNHTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVB095N65S3F

SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3

nexperia

PH1430DLSX

MOSFET N-CH 30V LFPAK

goford-semiconductor

G3035

MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT-23

goford-semiconductor

45P40

P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T