FDS3512

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS3512

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS3512-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 80 V 4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

RFQ Online

12837422

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS3512 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

80 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

4A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

18 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

634 pF @ 40 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2.5W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-SOIC

Συσκευασία / Θήκη

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDS35

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

2,500

Άλλα ονόματα

FDS3512TR

1990-FDS3512TR

FDS3512-DG

1990-FDS3512CT

2832-FDS3512TR

FDS3512CT

1990-FDS3512DKR

FDS3512DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

FDS3590

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

onsemi

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

1843

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

FDS3590-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.30

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

MFR Recommended

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

FDS3512

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

onsemi

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

0

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

FDS3512-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

1.06

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Parametric Equivalent

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

RS6N120BHTB1

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Rohm Semiconductor

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

1763

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

RS6N120BHTB1-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

1.14

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Similar

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FDD6688

MOSFET N-CH 30V 84A DPAK

onsemi

FDP15N50

MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3

onsemi

IRF630B_FP001

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

onsemi

FQB10N50CFTM-WS

MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK