Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRF630B_FP001
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRF630B_FP001-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
12837430
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRF630B_FP001 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
720 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
72W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF63
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF630
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Harris Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11535
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF630-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.80
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF630NPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8085
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF630NPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.39
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF630PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5461
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF630PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.51
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FQB10N50CFTM-WS
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
FDMS9408-F085
MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
FDMS9409-F085
MOSFET N-CH 40V 65A POWER56
