Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RS6N120BHTB1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RS6N120BHTB1-DG
Περιγραφή:
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Αποθέμα:
1763 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13000712
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RS6N120BHTB1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 60A, 6V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3420 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
104W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RS6N120
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-RS6N120BHTB1TR
846-RS6N120BHTB1CT
846-RS6N120BHTB1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
GNP1070TC-ZE2
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
GNP1150TCA-ZE2
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
DMN2310U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
