Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMG4710SSS-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMG4710SSS-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta) 1.54W (Ta) Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
12887698
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMG4710SSS-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1849 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Body)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.54W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG4710
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMG4710SSS-13DIDKR
DMG4710SSS13
DMG4710SSS-13DICT
DMG4710SSS-13DI
DMG4710SSS-13DITR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS8878
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Fairchild Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
570614
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS8878-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.20
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS6690A
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4652
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS6690A-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.24
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AO4468
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15747
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AO4468-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.14
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS3E135BNGZETB
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2565
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS3E135BNGZETB-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.36
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN2026UVT-13
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
ZXMN2F34MATA
MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
DMN10H170SVTQ-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
