Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDS8878
Product Overview
Κατασκευαστής:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDS8878-DG
Περιγραφή:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 10.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
570614 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12946932
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDS8878 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
897 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,389
Άλλα ονόματα
2156-FDS8878
FAIFSCFDS8878
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDFMA3P029Z
MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
FDS6298
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
CSD17303Q5
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
