RS3E135BNGZETB
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RS3E135BNGZETB

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RS3E135BNGZETB-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Αποθέμα:

2565 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527429
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RS3E135BNGZETB Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14.6mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
680 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
RS3E

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RS3E135BNGZETBTR
RS3E135BNGZETBCT
RS3E135BNGZETBDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RDN150N20FU6

MOSFET N-CH 200V 15A TO220FN

rohm-semi

RQ6E055BNTCR

MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6

rohm-semi

R6002END3TL1

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252

rohm-semi

RCD075N20TL

MOSFET N-CH 200V 7.5A CPT3