Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZVN2110ASTOA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZVN2110ASTOA-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 320mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Αποθέμα:
12887728
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZVN2110ASTOA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
320mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
75 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
700mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
E-Line (TO-92 compatible)
Συσκευασία / Θήκη
E-Line-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TN0110N3-G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TN0110N3-G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.88
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN0109N3-G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3705
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN0109N3-G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.64
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN3030LFG-7
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
ZVP2110ASTOA
MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE
DMG4435SSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
