SIHP20N50E-GE3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SIHP20N50E-GE3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SIHP20N50E-GE3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB

Αποθέμα:

861 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13063201
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SIHP20N50E-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Συσκευασία
Tube
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
19A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1640 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
179W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIHP20

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPP21N50C3XKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2469
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPP21N50C3XKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.91
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay

SIHH120N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8

vishay

SIJ420DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

vishay

SIHB17N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK

vishay

SISS22DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK