Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIJ420DP-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIJ420DP-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Αποθέμα:
13063245
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIJ420DP-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3630 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SO-8
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® SO-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIJ420
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SIJ420DP-T1-GE3CT
SIJ420DP-T1-GE3TR
SIJ420DPT1GE3
SIJ420DP-T1-GE3DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHB17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
