Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIHH120N60E-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIHH120N60E-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Αποθέμα:
13063202
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIHH120N60E-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
E
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
24A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1600 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
156W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® 8 x 8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIHH120
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SIHH120N60E-T1-GE3TR
SIHH120N60E-T1-GE3DKR
SIHH120N60E-T1-GE3CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIJ420DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
SIHB17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK