Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIHG47N60AEL-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIHG47N60AEL-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AC
Αποθέμα:
14 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13006601
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIHG47N60AEL-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
EL
Συσκευασία
Tube
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
47A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4600 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
379W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AC
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIHG47
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW58N65DM2AG
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW58N65DM2AG-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
7.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
SIR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
SIRA12BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
