Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIR638DP-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIR638DP-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Αποθέμα:
3065 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13006870
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIR638DP-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
204 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
+20V, -16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
10500 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
104W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SO-8
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® SO-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIR638
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIRA12BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
SIHG22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
SIRA16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
