Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIHD7N60E-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIHD7N60E-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount DPAK
Αποθέμα:
135 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13006727
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIHD7N60E-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Συσκευασία
Bulk
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
680 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
78W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIHD7
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD10N60M2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6542
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD10N60M2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.53
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOD7S60
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4907
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOD7S60-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.63
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD11N60DM2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1905
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD11N60DM2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.67
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD10NM60ND
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2200
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD10NM60ND-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.83
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD10NM60N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6369
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD10NM60N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.17
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
SIRA12BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
SIHG22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC