Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIB417AEDK-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIB417AEDK-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Αποθέμα:
13059044
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIB417AEDK-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
8 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
32mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18.5 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
878 pF @ 4 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SC-75-6
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® SC-75-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIB417
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SIB417AEDK-T1-GE3TR
SIB417AEDKT1GE3
SIB417AEDK-T1-GE3DKR
SIB417AEDK-T1-GE3CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIB441EDK-T1-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2930
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIB441EDK-T1-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.12
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI7882DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
SIB415DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6
SI7772DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
