Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI3483DDV-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI3483DDV-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 6.4A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Αποθέμα:
4834 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13059487
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI3483DDV-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET® Gen IV
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.4A (Ta), 8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
31.2mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
+16V, -20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
580 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta), 3W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI3483
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI3483DDV-T1-GE3DKR
SI3483DDV-T1-GE3TR
SI3483DDV-T1-GE3CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIDR390DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
SI2392ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
SI3433CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP