Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI7882DP-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI7882DP-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 12 V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Αποθέμα:
13059214
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI7882DP-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.9W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SO-8
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® SO-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI7882
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI7882DPT1GE3
SI7882DP-T1-GE3TR
SI7882DP-T1-GE3CT
SI7882DP-T1-GE3DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIB415DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6
SI7772DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
SI3483DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
