Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI6435ADQ-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI6435ADQ-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 4.7A (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Αποθέμα:
13058915
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI6435ADQ-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.7A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Δυνατότητα FET
-
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TSSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI6435
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI6435ADQ-T1-GE3TR
SI6435ADQT1GE3
SI6435ADQ-T1-GE3CT
SI6435ADQ-T1-GE3DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SUM45N25-58-E3
MOSFET N-CH 250V 45A TO263
SIDR140DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
SIB417AEDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
