Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI4456DY-T1-E3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI4456DY-T1-E3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 33A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
2500 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13062361
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI4456DY-T1-E3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
33A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5670 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI4456
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SI4456DYT1E3
SI4456DY-T1-E3TR
SI4456DY-T1-E3DKR
SI4456DY-T1-E3CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI4168DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
SI7621DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
SUP90N04-3M3P-GE3
MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
