SUP90N04-3M3P-GE3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SUP90N04-3M3P-GE3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SUP90N04-3M3P-GE3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Αποθέμα:

13062652
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SUP90N04-3M3P-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Bulk
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
90A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 22A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
131 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5286 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SUP90

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
SUP90N043M3PGE3
SUP90N04-3M3P-GE3CT
SUP90N04-3M3P-GE3CT-ND

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN2R8-40PS,127
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
10990
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN2R8-40PS,127-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOT240L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1722
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOT240L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.74
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP023N04NGXKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP023N04NGXKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.98
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDP8441
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Fairchild Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
14458
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDP8441-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.51
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
N0412N-S19-AY
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Renesas Electronics Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2874
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
N0412N-S19-AY-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.82
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay

SIHF18N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 18A TO220

vishay

SQJQ404E-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

vishay

SIHB28N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

vishay

SIHH21N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8