Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIHF18N50D-E3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIHF18N50D-E3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Αποθέμα:
419 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13062938
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIHF18N50D-E3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Συσκευασία
Tube
Κατάσταση εξαρτήματος
Last Time Buy
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
280mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
39W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220 Full Pack
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIHF18
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
SIHF18N50DE3
742-SIHF18N50D-E3
SIHF18N50D-E3-ND
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF19NM50N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
982
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF19NM50N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.99
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDPF18N50T
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDPF18N50T-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.50
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDPF18N50
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6866
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDPF18N50-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.25
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHA15N50E-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHA15N50E-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.82
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK15A50D(STA4,Q,M)
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
65
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK15A50D(STA4,Q,M)-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.37
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SQJQ404E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
SIHB28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
SIHH21N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
