Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TPH3206LSB
Product Overview
Κατασκευαστής:
Transphorm
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TPH3206LSB-DG
Περιγραφή:
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Αποθέμα:
13446056
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TPH3206LSB Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Transphorm
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 8V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.6V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±18V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
720 pF @ 480 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
81W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
3-PQFN (8x8)
Συσκευασία / Θήκη
3-PowerDFN
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
60
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TP65H150G4LSG
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Transphorm
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2939
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TP65H150G4LSG-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TPH3206PS
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
TP65H070LDG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
TP65H035WSQA
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3