Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TPH3208LDG
Product Overview
Κατασκευαστής:
Transphorm
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TPH3208LDG-DG
Περιγραφή:
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Αποθέμα:
20 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13446350
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TPH3208LDG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Transphorm
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.6V @ 300µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (Μέγ.)
±18V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
760 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
96W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
3-PQFN (8x8)
Συσκευασία / Θήκη
3-PowerDFN
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
60
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFA22N65X2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
250
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFA22N65X2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.56
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TPH3208LS
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TPH3205WSBQA
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
TPH3202PD
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
