UT6J3TCR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

UT6J3TCR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

UT6J3TCR-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 3A 2W Surface Mount HUML2020L8

Αποθέμα:

2900 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12818171
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

UT6J3TCR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
-
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2000pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-PowerUDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
HUML2020L8
Βασικός αριθμός προϊόντος
UT6J3

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-UT6J3TCRCT
UT6J3TCRDKR
846-UT6J3TCRTR
846-UT6J3TCRDKR
UT6J3TCRTR
UT6J3TCRCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

QH8KA2TCR

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8

epc

EPC2104

GANFET 2N-CH 100V 23A DIE

infineon-technologies

IRF7910PBF

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO

epc

EPC2106ENGRT

GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE