Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
QH8KA2TCR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
QH8KA2TCR-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Αποθέμα:
389 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12818183
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
QH8KA2TCR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.4nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
365pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT8
Βασικός αριθμός προϊόντος
QH8KA2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
QH8KA2TCRCT
846-QH8KA2TCRCT
QH8KA2TCRDKR
846-QH8KA2TCRTR
846-QH8KA2TCRDKR
QH8KA2TCRTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
EPC2104
GANFET 2N-CH 100V 23A DIE
IRF7910PBF
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
EPC2106ENGRT
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
