Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EPC2106ENGRT
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EPC2106ENGRT-DG
Περιγραφή:
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 1.7A Surface Mount Die
Αποθέμα:
12818299
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EPC2106ENGRT Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
EPC
Συσκευασία
-
Σειρά
eGaN®
Κατάσταση προϊόντος
Discontinued at Digi-Key
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Half Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 600µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.73nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
75pF @ 50V
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
Die
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Die
Βασικός αριθμός προϊόντος
EPC210
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
917-EPC2106ENGRTR
917-EPC2106ENGRCT
917-EPC2106ENGRDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
CSD87313DMS
MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
IRF7904PBF
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
CSD88539ND
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
