Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SH8KB7TB1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SH8KB7TB1-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 13.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Αποθέμα:
7457 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12965479
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SH8KB7TB1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13.5A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
27nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1570pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
SH8KB7
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-SH8KB7TB1CT
846-SH8KB7TB1TR
846-SH8KB7TB1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
QH8KC5TCR
MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
SQ1912EH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
QH8KB6TCR
MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
