Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
QH8KB6TCR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
QH8KB6TCR-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Αποθέμα:
5950 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12965524
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
QH8KB6TCR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10.6nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
530pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
1.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT8
Βασικός αριθμός προϊόντος
QH8KB6
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-QH8KB6TCRDKR
846-QH8KB6TCRCT
846-QH8KB6TCRTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SH8MB5TB1
MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8SOP
SQJ941EP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8
UT6KB5TCR
MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8
