Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SH8MB5TB1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SH8MB5TB1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 8.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Αποθέμα:
6182 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12965610
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SH8MB5TB1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
SH8MB5
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-SH8MB5TB1CT
846-SH8MB5TB1TR
846-SH8MB5TB1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SQJ941EP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8
UT6KB5TCR
MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8
SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8
