SCT3030KLGC11
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SCT3030KLGC11

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SCT3030KLGC11-DG

Περιγραφή:

SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 72A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N

Αποθέμα:

255 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524853
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SCT3030KLGC11 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
72A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
39mOhm @ 27A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.6V @ 13.3mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
131 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2222 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
339W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT3030

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
TO-247N Inner Structure
Έγγραφα αξιοπιστίας
MOS-3GTHD Reliability Test
Φύλλα δεδομένων
SCT3030KLGC11 TO-247N Taping Spec

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RS3E095BNGZETB

MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

rohm-semi

RQ5E050ATTCL

MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3

rohm-semi

RF6C055BCTCR

MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6

rohm-semi

RF4C100BCTCR

MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8