Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RF4C100BCTCR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RF4C100BCTCR-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Αποθέμα:
2934 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524871
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RF4C100BCTCR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
23.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1660 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
HUML2020L8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerUDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RF4C100
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RF4C100BCTCRDKR
RF4C100BCTCRTR
RF4C100BCTCRCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMPB19XP,115
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1995
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMPB19XP,115-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.11
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RQ5E065AJTCL
MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
RF4E080GNTR
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
RQ5E070BNTCL
MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
