Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RF6C055BCTCR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RF6C055BCTCR-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1W (Tc) Surface Mount TUMT6
Αποθέμα:
2985 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524867
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RF6C055BCTCR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1080 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TUMT6
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, Flat Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
RF6C055
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RF6C055BCTCRDKR
RF6C055BCTCRCT
RF6C055BCTCRTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RF4C100BCTCR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
RQ5E065AJTCL
MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
RF4E080GNTR
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8