Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SCT3022ALGC11
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SCT3022ALGC11-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 93A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Αποθέμα:
1695 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527008
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SCT3022ALGC11 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
93A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.6V @ 18.2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
133 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2208 pF @ 500 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
339W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT3022
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RSD201N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
RV2C014BCT2CL
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
RT1A045APTCR
MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
