SCT3160KLGC11
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SCT3160KLGC11

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SCT3160KLGC11-DG

Περιγραφή:

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N

Αποθέμα:

2223 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527019
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SCT3160KLGC11 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.6V @ 2.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
42 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
398 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
103W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT3160

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
TO-247N Inner Structure
Έγγραφα αξιοπιστίας
MOS-3GTHD Reliability Test
Φύλλα δεδομένων
SCT3160KLGC11 TO-247N Taping Spec

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RT1E050RPTR

MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST

rohm-semi

RQ6E040XNTCR

MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6

rohm-semi

RQ5P010SNTL

MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3

rohm-semi

RSQ025P03TR

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6