RT1A045APTCR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RT1A045APTCR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RT1A045APTCR-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST

Αποθέμα:

13527013
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RT1A045APTCR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
-8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4200 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
650mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TSST
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Βασικός αριθμός προϊόντος
RT1A045

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Φύλλα δεδομένων
Έγγραφα αξιοπιστίας

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RT1A045APTCRDKR
RT1A045APTCRCT
RT1A045APTCRTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

SCT3160KLGC11

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

rohm-semi

RT1E050RPTR

MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST

rohm-semi

RQ6E040XNTCR

MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6

rohm-semi

RQ5P010SNTL

MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3