Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RS1E200GNTB
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RS1E200GNTB-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Αποθέμα:
2460 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527276
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RS1E200GNTB Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Ta), 57A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1080 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RS1E
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RS1E200GNTBDKR
RS1E200GNTBCT
RS1E200GNTBTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC042N03LSGATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11717
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC042N03LSGATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.35
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
R6035KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
RQ3E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
RDN050N20FU6
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
