Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RQ3E180BNTB
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RQ3E180BNTB-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Αποθέμα:
5274 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527282
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RQ3E180BNTB Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
39A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 18A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
37 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3500 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta), 20W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSMT (3.2x3)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RQ3E180
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RQ3E180BNTBTR
RQ3E180BNTBDKR
RQ3E180BNTBCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RDN050N20FU6
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
RZL025P01TR
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
SCT2280KEC
SICFET N-CH 1200V 14A TO247