Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
Γαλλία
Ισπανία
Τουρκία
Μολδαβία
Λιθουανία
Νορβηγία
Γερμανία
Πορτογαλία
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Ρωσικά
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Σερβία
Λευκορωσία
Ολλανδία
Σουηδία
Μαυροβούνιο
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Ρουμανία
Αυστρία
Βέλγιο
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
ΛΔ Κονγκό
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Αγκόλα
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Αργεντινή
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6035KNZ1C9
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6035KNZ1C9-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247
Αποθέμα:
RFQ Online
13527278
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6035KNZ1C9 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
35A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
102mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
379W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6035
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
R6035KNZ1C9
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
R6035KNZ1C9DKRINACTIVE
R6035KNZ1C9TR-ND
R6035KNZ1C9CT-ND
R6035KNZ1C9INACTIVE
R6035KNZ1C9CT
R6035KNZ1C9DKR-ND
R6035KNZ1C9TR
R6035KNZ1C9DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW33N60DM2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
538
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW33N60DM2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.59
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX64N60P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
911
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX64N60P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
13.25
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFL82N60P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
25
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFL82N60P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
24.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX48N60P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX48N60P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
11.94
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX64N60P3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1060
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX64N60P3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
8.28
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RQ3E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
RDN050N20FU6
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
RZL025P01TR
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
SCT2280KEC
SICFET N-CH 1200V 14A TO247