UT6KB5TCR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

UT6KB5TCR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

UT6KB5TCR-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8

Αποθέμα:

2318 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12965696
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

UT6KB5TCR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
150pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-PowerUDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
HUML2020L8
Βασικός αριθμός προϊόντος
UT6KB5

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-UT6KB5TCRTR
846-UT6KB5TCRDKR
846-UT6KB5TCRCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8

vishay-siliconix

SI4948BEY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC

vishay-siliconix

SI4814BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC

vishay-siliconix

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8