Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTP185N60S5H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTP185N60S5H-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 116W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
795 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12972116
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTP185N60S5H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperFET® V
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
15A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
185mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.3V @ 1.4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1350 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
116W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
488-NTP185N60S5H
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTHL185N60S5H
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTHL185N60S5H-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.82
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6020YNX3C16
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
975
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6020YNX3C16-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.84
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJS6421_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
FDT3612-SB82273
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
PJS6400_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
