Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6020YNX3C16
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6020YNX3C16-DG
Περιγραφή:
NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 182W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
975 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001907
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6020YNX3C16 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
185mOhm @ 6A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 1.65mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1200 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
182W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6020
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
846-R6020YNX3C16
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ICE35N60W
Superjunction MOSFET
G13P04S
P-40V,-13A,RD(MAX)<15M@-10V,VTH-
GSFU9506
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
