Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTHL185N60S5H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTHL185N60S5H-DG
Περιγραφή:
SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 116W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
12974070
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTHL185N60S5H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
15A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
185mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.3V @ 1.4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1350 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
116W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
488-NTHL185N60S5H
2832-NTHL185N60S5H
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6020YNZ4C13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
600
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6020YNZ4C13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.87
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHG17N80AE-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHG17N80AE-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.32
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJF4NA65A_T0_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
PJQ5446_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJF2NA1K_T0_00001
1000V N-CHANNEL MOSFET
