NDS9957
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NDS9957

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NDS9957-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 2.6A 900mW Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

12929923
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NDS9957 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.6A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
200pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDS995

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
NDS9957TR
NDS9957CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMN6A11DN8TA
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4519
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMN6A11DN8TA-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.27
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
wolfspeed

CAB425M12XM3

SIC 2N-CH 1200V 450A

rohm-semi

SP8K3FD5TB1

MOSFET 2N-CH 30V 8SOP

rohm-semi

SP8J62TB1

MOSFET 2P-CH 30V 8SOP

rohm-semi

SH8KA4TB1

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP