Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXMN6A11DN8TA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXMN6A11DN8TA-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
4519 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12905042
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXMN6A11DN8TA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
330pF @ 40V
Ισχύς - Μέγιστη
1.8W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN6
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
ZXMN6A11DN8DKRINACTIVE
ZXMN6A11DN8DKR-DG
ZXMN6A11DN8CT-NDR
ZXMN6A11DN8TR-NDR
ZXMN6A11DN8TR
ZXMN6A11DN8CT
ZXMN6A11DN8DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZXMN2A04DN8TC
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
BSS138DW-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO