Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
CAB425M12XM3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
CAB425M12XM3-DG
Περιγραφή:
SIC 2N-CH 1200V 450A
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 450A Chassis Mount
Αποθέμα:
6 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12929963
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
CAB425M12XM3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
CAB425M12XM3
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
Silicon Carbide (SiC)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Half Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
450A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 425A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 115mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1135nC @ 15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
30.7nF @ 800V
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
Module
Βασικός αριθμός προϊόντος
CAB425M12
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
1697-CAB425M12XM3
-3312-CAB425M12XM3
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SP8K3FD5TB1
MOSFET 2N-CH 30V 8SOP
SP8J62TB1
MOSFET 2P-CH 30V 8SOP
SH8KA4TB1
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
