Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NDD60N550U1T4G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NDD60N550U1T4G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 8.2A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount DPAK
Αποθέμα:
12856779
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NDD60N550U1T4G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
540 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
94W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDD60
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
2156-NDD60N550U1T4G-ONTR
ONSONSNDD60N550U1T4G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK560P65Y,RQ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4898
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK560P65Y,RQ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.46
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK11P65W,RQ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
485
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK11P65W,RQ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.74
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPD07N60C3ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4363
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPD07N60C3ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.96
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK10P60W,RVQ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5042
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK10P60W,RVQ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHD7N60E-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
135
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHD7N60E-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.74
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTD4860N-1G
MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
NTLUS4930NTBG
MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN
NVMFS5C456NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 22A/87A 5DFN
