NTD4860N-1G

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD4860N-1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD4860N-1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 25 V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK

Αποθέμα:

RFQ Online

12856780

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD4860N-1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

25 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

10.4A (Ta), 65A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

16.5 nC @ 4.5 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

1308 pF @ 12 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.28W (Ta), 50W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

I-PAK

Συσκευασία / Θήκη

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Βασικός αριθμός προϊόντος

NTD48

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

75

Άλλα ονόματα

ONSONSNTD4860N-1G

2156-NTD4860N-1G-ON

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

NTLUS4930NTBG

MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN

onsemi

NVMFS5C456NLAFT3G

MOSFET N-CH 40V 22A/87A 5DFN

onsemi

NTMS7N03R2

MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC

onsemi

NTTFS4C10NTWG

MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN